IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件，其具有自关断的特征。
与以前的各种电力电子器件相比，IGBT具有以下特点：
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高输入阻抗，可采用通用低成本的驱动线路；
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高速开关特性，导通状态低损耗。
IGBT兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。简单讲，是一个非通即断的开关，IGBT没有放大电压的功能，导通时可以看作导线，断开时当作开路。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低，是一种适合于中、大功率应用的电力电子器件，IGBT在综合性能方面占有明显优势，非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
AQG 324标准是机动车辆电力电子转换器单元(PCU)功率模块的测试标准，标准定义了功率模块所需验证的测试项目、测试要求以及测试条件，适用范围包括电力电子模块的使用寿命和基于分立器件的等效特殊设计。
AQG 324标准文件中描述的测试项目主要用于验证汽车工业中功率模块的特性和寿命。
AQG 324主要的测试项目如下：
QM-模块测试
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阈值电压
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栅射极漏电流
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集射极反向漏电流
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正向电压
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IPI/VI, OMA
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SAM
QC-模块特性测试
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寄生杂散电感
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热阻
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短路特性
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绝缘性能
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介电性能
QE-模块环境测试
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温度冲击
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机械振动
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机械冲击
QL-模块寿命测试
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高温高湿反偏H3TRB
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功率循环（PCsec）
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功率循环（PCmin）
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高温存储
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低温存储
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高温反偏HTRB
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高温栅偏HTGB
来源：SGS半导体服务
