在当今快速发展的电力电子技术领域，功率半导体器件的性能优化至关重要。双脉冲测试（DPT）作为一种关键的测试方法，为功率器件的动态行为评估提供了精准的手段。本文将深入解析双脉冲测试的原理、应用及泰克科技在这一领域的先进解决方案，并介绍泰克专家高远新书的相关内容。
双脉冲测试的目标参数
在设计功率转换器时，理想状态是功率损耗为零，但现实中开关损耗不可避免。传统的硅基转换器效率约为87%至90%，这意味着10%至13%的输入功率以废热形式耗散，其中大部分损耗发生在MOSFET或IGBT等开关器件中。因此，精确测量这些器件的开关参数对于优化设计、提升效率至关重要。
双脉冲测试是测量MOSFET或IGBT开关参数的首选方法，被广泛应用于JEDEC和IEC标准中，如JEP182、JESD24-10、IEC 60747-9等。该测试方法能够在受控的电压、电流和温度条件下，通过脉冲限制被测器件（DUT）的自发热并保持稳定的结温，从而准确测量开关参数。
双脉冲测试的目标是测量以下开关参数：
• 导通参数：包括导通延迟时间td(on)、VDS下降时间tf、导通时间ton、最大漏极电流ID、dv/dt、di/dt、导通能量Eon和动态导通电阻RDS(on)。
• 关断参数：包括关断延迟时间td(off)、VDS上升时间tr、关断时间toff、最大漏源电压VDSM、dv/dt、di/dt、关断能量Eoff和输出电荷Qoss。
• 反向恢复参数：包括反向恢复时间tr、反向恢复电流Ir、反向恢复电荷Qrr、反向恢复能量Err和正向导通电压VSD。
双脉冲测试的三阶段
典型的双脉冲测试电路如图1所示，通过高侧和低侧FET的配置，实现对功率器件的精确测量。
测试分为三个重要阶段：
1）建立目标测试电流，调整第一个脉冲的宽度以通过负载电感提供所需的测试电流。
2）第一个脉冲的关断及测量，此时 Id已达到目标测试电流，并在功率器件关断时降至零。测量关断延迟(td(off))、下降时间( tf )、关断时间( toff)、关断能量(Eoff)、dv/dt 和di/dt。负载电流从负载电感流经续流二极管。关断时间保持较短以将负载电流维持在目标Id。
3）第二个脉冲的导通及测量，在此阶段进行导通测量，目标Id开始重新流入功率器件。导通期间的电流过冲是由于续流二极管反向恢复时的暂时过量电流。第二个脉冲宽度仅保持足够长以确保稳定测量，同时避免过热。
图1：用于测量低侧FET开关损耗的双脉冲测试电路；图2：以MOSFET为DUT的电流流向；图3：以IGBT为DUT的电流流向。
图4：双脉冲测试波形。顶部波形显示施加到栅极或栅极驱动器的信号。底部信号是对应的漏极电流（Ic）和漏源电压（VDS）。测量在第1和第2阶段以及第2和第3阶段之间的过渡处进行。
泰克科技的双脉冲测试解决方案
泰克科技提供全面的仪器、探头和软件，以满足双脉冲测试的需求。
来源：泰克科技
